【新闻】ST推出降低车用功率场效应MOS晶体管电阻0漳州

<P><FONT face=Courier size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 意法</FONT><FONT face=Courier size=2>半导体</FONT><FONT face=Courier size=2>日前针对</FONT><FONT face=Courier size=2>汽车市场</FONT><FONT face=Courier size=2>推出一个新的大电流功率场效应MOS晶体管，该产品采用ST最新优化的 STripFET&#8482; 专利技术，实现了最低的导通电阻。 新产品 STD95N04 是一个40V的标准电平的D</FONT><FONT face=Courier size=2>PA</FONT><FONT face=Courier size=2>K产品，最大导通电阻RDS(on)6.5毫欧。&nbsp;</FONT></P>

<P><FONT face=Courier size=2>&nbsp; </P></FONT><SPAN class=px14><FONT id=FontSizeSettings4>

<P><FONT face=Courier size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、</FONT><FONT face=Courier size=2>电机</FONT><FONT face=Courier size=2>控制、电磁阀驱动器和</FONT><FONT face=Courier size=2>ABS</FONT><FONT face=Courier size=2>设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比，新产品在价格和导通电阻性能上极具</FONT><FONT face=Courier size=2>竞争</FONT><FONT face=Courier size=2>力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。&nbsp;</FONT></P>

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<P><FONT face=Courier><FONT size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; STD95N04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力</FONT><FONT size=2>测试</FONT><FONT size=2>标准。该组件最大工作温度175℃ ，100%通过雪崩测试。</FONT></FONT></P>

<P><FONT face=Courier><FONT size=2>&nbsp; </FONT></FONT></P>

<P><FONT face=Courier><FONT size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术，以满足DPAK和 D2PAK 的需求。</FONT>&nbsp; <BR></FONT></P></FONT></SPAN>

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